一、了解固態(tài)硬盤存儲數(shù)據(jù)的原理
固態(tài)硬盤存儲數(shù)據(jù)是通過將電子“拉入”或“推出”浮柵層從而改變晶體管的閾值電壓來表示0和1兩種狀態(tài)進(jìn)而表示存儲的是0還是1
當(dāng)固態(tài)硬盤的存儲空間沒有被全部寫過一遍數(shù)據(jù)時，新寫入的數(shù)據(jù)會直接寫入；當(dāng)固態(tài)硬盤的存儲空間已經(jīng)被全部寫過一遍數(shù)據(jù)時，再寫入新數(shù)據(jù)就會先“緩存”后“擦除”再“寫入”，這就是寫入放大寫入放大會造成性能降低，現(xiàn)代操作系統(tǒng)都會啟用TRIM功能來改善固態(tài)硬盤的缺點有：損壞不可挽救、寫入壽命限制、靜置會造成數(shù)據(jù)丟失等這些缺點都與電子是否可以被拉入浮柵層并束縛在浮柵層有關(guān)，存儲數(shù)據(jù)是通過將電子拉入或推出浮柵層，當(dāng)浮柵層不具有束縛電子的能力的時候，電子就會游離出或電子應(yīng)環(huán)境導(dǎo)致電子數(shù)變化，這些都會導(dǎo)致晶體管的閾值電壓發(fā)生變化或不能夠表達(dá)兩種狀態(tài)，就會造成數(shù)據(jù)丟失且不可逆；隧穿層既要能束縛電子又要能讓電子穿越，電子每穿越一次對隧穿層都有不可逆的損害，最終失去束縛電子的能力即無法寫數(shù)據(jù)；靜置久了晶體管內(nèi)的電子會發(fā)生變化導(dǎo)致晶體管的閾值電壓與之前不同或無法表示兩種狀態(tài)就會數(shù)據(jù)丟失針對缺點的優(yōu)化方案：一般會通過調(diào)整主控算法、預(yù)留空間等技術(shù)來改善四、固態(tài)硬盤的讀寫速度和壽命指標(biāo)籠統(tǒng)的判斷固態(tài)硬盤的使用壽命可通過“TBW”參數(shù)來判斷，不同廠家因“存儲芯片質(zhì)量”、“寫策略”等不同，同容量的固態(tài)硬盤的BTW也可能不同：
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五、查看固態(tài)硬盤的寫入量TBW：
使用CrystalDiskInfo等軟件可以查看固態(tài)硬盤的已寫入量，比如我2019年的筆記本固態(tài)硬盤到現(xiàn)在6年的寫入量是18TB，按最低100T的總寫入量有20%，總共可用30年。但實際上的使用壽命與存儲芯片本身質(zhì)量有關(guān)：
https://github.com/hiyohiyo/CrystalDiskInfo
閱讀原文：https://mp.weixin.qq.com/s/ZMxwsrciqPpzAucYDSSyuA
該文章在 2025/9/16 17:57:45 編輯過
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